Frontend-Chip für die Protonentherapie am PSI

Die Spezifikationen befinden sich im Bereich der physikalischen Grenzen und können nur mit einer optimierten ASIC-Lösung annähernd erreicht werden. Die Umsetzung der Schaltung erfolgt auf einer modernen 0.35 µm CMOS-Technologie von X-Fab und besitzt folgende Eigenschaften:
• I-V-Wandler mit extrem grossem Dynamikbereich (105)
• Hohe Bandbreite bei kleinen Strömen (>10kHz)
• Extrem kleines Stromrauschen (<10fA/√Hz)
• Überwachung der Strahlenintensität